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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDP8870 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

内部编号

3-FDP8870

#1

数量:8156
1+¥9.323
25+¥8.7066
100+¥8.3214
500+¥8.0132
1000+¥7.6279
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:345
5+¥11.153
25+¥10.9535
100+¥10.754
250+¥10.545
500+¥10.336
最小起订量:5
英国伦敦
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#3

数量:5
5+¥11.153
25+¥10.9535
100+¥10.754
250+¥10.545
500+¥10.336
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDP8870产品详细规格

规格书 FDP8870 datasheet 规格书
FDP8870 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 156A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.1 mOhm @ 35A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 132nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5200pF @ 15V
功率 - 最大 160W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 19 A
RDS -于 4.1@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 105 ns
典型关闭延迟时间 70 ns
典型下降时间 46 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
最大漏源电阻 4.1@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220AB
最大功率耗散 160000
最大连续漏极电流 19
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 19A (Ta), 156A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.1 mOhm @ 35A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 160W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 5200pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 132nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 10.67 x 4.83 x 9.4mm
身高 9.4mm
长度 10.67mm
最大漏源电阻 0.004 Ω
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 160 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS 106 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 5200 pF V @ 15
宽度 4.83mm
工厂包装数量 50
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 156 A
零件号别名 FDP8870_NL
下降时间 46 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.063493 oz
RoHS RoHS Compliant
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 FDP8870
RDS(ON) 4.1 mOhms
安装风格 Through Hole
功率耗散 160 W
上升时间 105 ns
漏源击穿电压 30 V
Continuous Drain Current Id :156A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :4.1mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs Typ :2.5V
Weight (kg) 0.00204
Tariff No. 85411000
associated IRLB3813PBF
IRL7833PBF.

FDP8870系列产品

订购FDP8870.产品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail. 生产商: fairchild semiconductor.芯天下有低价

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